一、基本信息：

曹文彧，女，1985年6月出生，博士，讲师。

二、工作经历：

2016/08–至今，湖北文理学院，赌博app网址，讲师

2013/07-2015/05，三星电子中国研究院，技术企划部，研究员

三、教育经历：

2008/09-2013/07，北京大学，物理学院，凝聚态物理专业，博士

2003/09-2007/06，北京科技大学，应用科学学院，应用物理学，学士

四、研究方向：

1、半导体光电子器件物理，氮化镓基发光二极管和激光器设计

2、量子阱异质结构的发光性质研究

五、论文列表

[1] Wenyu Cao and Xiaodong Hu*,
Influence of the quantum-confined Stark effect on the temperature-induced photoluminescence blueshift of InGaN/GaN quantum
wells in laser diode structures, Chinese Optics
Letters, 2016, 14(6):061402-61406

[2]Wenyu Cao, Yongfa He, Zhao Chen,
Wei Yang, Weimin Du, and Xiaodong Hu*, Effect of the prestrainedInGaN
interlayer on the emission properties of InGaN/GaN multiple quantum wells in a
laser diode structure, Chinese Physics B, 2013, 22(7):415-419

[3]Bin Xing, Wenyu Cao, Weimin Du*,
Temperature-dependent PL of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Variable
Content of In, Chinese Journal of Luminescence Vol.31, No.6(2010).

[4]W Y.Cao,C H.Wan,L.Wang,C M.Lu, X
D.Hu*, and W M.Du, Study of temperature dependent photoluminescence of
InGaN/GaN quantum wells over a range of excitation power” Asia-Pacific Workshop
on Widegap Semiconductors22/5/2011